Potestas electronic subiecta

Potestas electronic subiecta

Potestas electronic subiecta genus materialium in constructione potentiarum electronicarum partium adhibita sunt ut potentia modulorum, invertentium et convertentium. Typice factae sunt ex ceramicis vel alia materia summus temperatura quae praebet conductivity robustas, altas scelerisque, et certae electricae insulae. Subiectae hae ordinantur ad sustentationem necessariam et scelerisque administrationem potentiae electronicarum partium, ut efficienter et fideliter operentur.

Potestas electronic subiecta in variis applicationibus adhibentur, ut motores activitates, systemata energiae renovabiles, vehicula electrica, aliaque potentia electronicarum applicationum. Specialiter ordinantur ad applicationes altae virtutis tractandas ubi scelerisque procuratio pendet ad operationem efficientem. Exempli gratia, ceramicorum summus temperatus sicut aluminium nitride (AlN) vel carbida siliconis calefacit usque ad 10 tempora meliores quam metalla ducere potest ut cuprum, quod praestantes materias potentiarum applicationum electronicarum subiectarum efficit.

Praeter summus temperaturas et possessiones conductivity scelerisque, potentia subiecta electronicarum insulationem electricam optimam praebent, quae in potestate electronicorum essentialis est. Materiae electricae insulantes breves circuitus impediunt et contra damnum ab altis voltages defendunt, ut potentia electronicarum partium tuta et certa sint.

Super potestate electronic subiecta materiae essentiales sunt ad constructionem potentiarum electronicarum partium. Eorum summus temperatus et scelerisque conductivitatis possessiones, cum optimae insulationis electricae coniunctae, specimen electionis efficiunt applicationes electronicarum potentiarum, quae altam fidem et scelerisque administrationem efficientem requirunt.

Torbo® Power electronic subiecto

Item: Potestas electronic subiecta

Materia: Si3N4

Color: Gray

Crassitudo: 0.25-1mm

Superficies processus: Duplex polito

Mole densitatis: 3.24g/㎤

Superficies asperitas Ra: 0.4μm

Vires tendentes: (modum 3-punctum): 600-1000Mpa

Modulus elasticitatis: 310Gpa

Fractura spissitudo (IF modus): 6.5 MPa･√m

Scelerisque conductivity: 25°C 15-85 W/(m･K)

Damnum dielectric factor:0.4

Volumen resistivity: 25°C >1014 Ω･㎝

Naufragii vires: DC >15㎸/㎜