Patet Substrates

Gratus es venire ad officinam nostram ut emendum novissimam venditionem, parvo pretio, et qualitatem campi Substratum. Expectamus cooperante. Substratum patet ad materias subiectas planas, sine patulis, et sine ullis linitionibus vel curationibus specialibus. Substratae typice utuntur ut basis vel fundamentum pro variis applicationibus, ut in electronicis, semiconductor vestibulum, vel superficies ulterioris processus. Substratae planae simplicitate ac defectu additarum notarum vel amplificationum propriae sunt, eas aptas ad amplis applicationibus ubi superficies fundamentalis et immutabilis requiritur. Hae subiectae ex variis materiis, inclusis siliconibus, vitreis, aliisve materiis effici possunt, secundum peculiarem applicationem ac necessitatem.

Torbo® in campo Substrates

Item:Silicon nitride substrato

Materia: Si3N4

Color: Gray

Crassitudo: 0.25-1mm

Superficies processus: Duplex polito

Mole densitatis: 3.24g/㎤

Superficies asperitas Ra: 0.4μm

Vires tendentes: (modum 3-punctum): 600-1000Mpa

Modulus elasticitatis: 310Gpa

Fractura spissitudo (IF modus): 6.5 MPa･√m

Scelerisque conductivity: 25°C 15-85 W/(m･K)

Damnum dielectric factor:0.4

Volumen resistivity: 25°C >1014 Ω･㎝

Naufragii vires: DC >15㎸/㎜

Silicon nitride substratousus est in campis electronicis ut potentia semiconductoris moduli, inverters et converters, alias materias insulating reponens ad productionem output augendam et ad magnitudinem et pondus minuendum.

Earum vis altissimae etiam eas facit praecipuam materiam quae auget vitam et constantiam eorum quae in usu sunt.

Duplex dissipatio caloris trilinei in potestate pectoris (potestatis semiconductores) , potestas imperii unitates pro automobiles