Electronic Substratum

Torbo® Electronic Substrata, a officina Sinica producta, applicationes in industria electronicorum reperiunt, praesertim in potestate modulorum semiconductorum, inverters et convertentium. Serviunt supplementum ad alias materias insulandas, inde in augenda efficientia producendi et minui altiore magnitudine et pondere. Praeterea partes eximiae virtutis munere funguntur in augendae longitudinis et firmitatis finis productorum in quibus adhibentur.

Mitte Inquisitionem

depictio producti

Pro professionalem qualitatem Electronic Substratum fabricare, certi quiescere potes ut Electronic Substratum e nostris officinas emere possis, et tibi optimam post venditionem servitii et partus opportune offeremus. Substratae electronicae, etiam notae ut tabulae ambitus impressae (PCB) subiectae, sunt materiae fundamentales in quibus partes electronicae et circuitus aedificantur. Haec subiecta suggestum praebent ad ascendendum et connexum variarum partium electronicarum, ut ambitus integros, resistores, capacitores, aliaque electronica machinationes.

Substratae electronicae typice factae sunt ex materiis ut fibreglass-epoxy, polyimide, vel ceramici confirmati. Machinantur habere proprietates specificas sicut velit electrica, vires mechanicas et stabilitatem scelerisque. Subiectum saepe iacuit vestigia aeris vestigia et vias conductivas quae nexus ambitum formant.

Haec subiecta munus magnum habent in recentioribus electronicis, ut structurae sustentationi et instrumenti electrici interconnexionis mediae pro electronicis cogitationibus, a simplicibus electronicis consumptis ad systemata computatrum complexum et apparatu telecommunicationis composita. Variae rationes et consilia veniunt, secundum applicationes postulationes, ut unius partis PCBs, duplices PCBs, vel multilayer PCBs cum intricatis circumscriptionibus ambages.

Torbo® Electronic Substratum

Item:Silicon nitride substrato

Materia: Si3N4

Color: Gray

Crassitudo: 0.25-1mm

Superficies processus: Duplex polito

Mole densitatis: 3.24g/㎤

Superficies asperitas Ra: 0.4μm

Vires tendentes: (modum 3-punctum): 600-1000Mpa

Modulus elasticitatis: 310Gpa

Fractura spissitudo (IF modus): 6.5 MPa･√m

Scelerisque conductivity: 25°C 15-85 W/(m･K)

Damnum dielectric factor:0.4

Volumen resistivity: 25°C >1014 Ω･㎝

Naufragii vires: DC >15㎸/㎜

Bag®Subiectum electronicumusus est in campis electronicis ut potentia semiconductoris moduli, inverters et converters, alias materias insulating reponens ad productionem output augendam et ad magnitudinem et pondus minuendum.

Earum vis altissimae etiam eas facit praecipuam materiam quae auget vitam et constantiam eorum quae in usu sunt.

Duplex dissipatio caloris trilinei in potestate pectoris (potestatis semiconductores) , potestas imperii unitates pro automobiles