Ceramic Insulating Caloris Dissipatio Substrates

Ceramic insulating calor dissipatio subiecta

Ceramici insulating caloris dissipationis subiectae sunt speciales species subiectae ceramicae in machinis electronicis adhibitae et aliae applicationes quae efficaciam caloris dissipationem requirunt. Substratae de more factae sunt ex materiis sicut aluminium nitride, carbide silicone, vel alumina, quae nota sunt pro facultate excelsum temperaturas et altas conductivity scelerisque sustinendi.

Munus primarium ceramici insulantis caloris dissipationis subiectae est ad dissipandum calorem ab elementis electronicis generatum, sicut potentia semiconductores et diodes levis emittens (LEDs). Substrati ordinantur ad optimam conductionem scelerisque praebendam, ut efficientem caloris translationem ab elementis electronicis ad aerem circumfusum vel systema refrigerandum disponat. Ceramici in his subiectis usi valde insulantes sunt, quae opes eximiae proprietatibus electricis insulationis praebent, electronicarum partium conservantes a damno ob circulos electricis oneris vel brevibus.

Ceramici insulating caloris dissipationis subiectae populares sunt in variis applicationibus industrialibus, inclusis electronicis automotivis, potentia electronicis, aerospace, et DUCTUS illustrandis. Praeponuntur aliis materiis, ut materia plastica aut metallis, propter conductivity scelerisque, electricae velit ac vetustatem. Princeps scelerisque conductivity horum subiectorum etiam efficit ut minus scelerisque accentus in tam electronicis elementis quam in materia subiecta sit, quae fidem et effectum meliorem efficiat.

Super, ceramico insulating caloris dissipatio subiecta praebent optimam observantiam et constantiam in applicationibus electronicis quae efficaciam caloris dissipationem, altas conductivity scelerisque, et insulationem electricam requirunt.

Item: Ceramic Insulating Caloris Dissipatio Substrates

Materia: Si3N4

Color: Gray

Crassitudo: 0.25-1mm

Superficies processus: Duplex polito

Mole densitatis: 3.24g/㎤

Superficies asperitas Ra: 0.4μm

Vires tendentes: (modum 3-punctum): 600-1000Mpa

Modulus elasticitatis: 310Gpa

Fractura spissitudo (IF modus): 6.5 MPa･√m

Scelerisque conductivity: 25°C 15-85 W/(m･K)

Damnum dielectric factor:0.4

Volumen resistivity: 25°C >1014 Ω･㎝

Naufragii vires: DC >15㎸/㎜