Occursus siliconis nitridis ceramici substrati et novae energiae energiae.

Cum celeri progressu electronicarum technologiae hodiernae virtutis alta intentione, alta currenti et frequenti frequentia propriae, calor dissipationis efficientia modulorum applicatorum huic technologiae applicata magis critica facta est.Silicon nitride tellus substratomateria in systematis electronicarum sarcinarum electronicarum clavis est ad dissipationem efficientis caloris, et altam vim habere debet et summam constantiam ut cum multiplicitate ambitus laborantium resistat.
Annis ingentes factae sunt productiones magnae et late subiectae ceramicae adhibitae: Al2O3, BeO, SiC, Si3N4, AlN.

Silicon nitride ceramic substratocognoscitur sicut optimam materiam subiectam ceramicam cum altos conductivity et scelerisque magna constantia.

Forma et exemplar autocineti globalis reformantur. Explicatio "electificationis, intelligentiae, connexionis et participationis" autocineti in 5G aetate facta est inclinatio inexsuperabilis. Nova energia vehicula egetPii nitride ceramic subiecta, etPii nitride ceramic subiectadiu futurum sit, cum fluctuetur novarum industriarum vehicula ut ardeant ac calefaciant.